RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2952
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link