RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2848
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link