RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
39
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
18
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2165
3575
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73CB0-YK0 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link