RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
52
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
52
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
10.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2165
2176
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link