RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
3938
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link