RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
3346
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link