RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.7
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
22.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
3861
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link