RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
80
Wokół strony 69% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
12.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
80
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
1775
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link