RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
39
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.1
7.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
7.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
1768
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link