RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
56
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.1
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
56
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2200
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link