RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
35
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2155
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link