RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
25
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
18
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
3529
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link