RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
25
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
18
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
3529
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link