RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
41
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
3096
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link