RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB vs Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1854
2193
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link