RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
5.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
5.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1854
1740
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link