RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Porównaj
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
65
Wokół strony -160% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
4.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
25
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
4.2
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
985
3023
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G73BH0-YH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link