RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Porównaj
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
65
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
4.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
27
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
4.2
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
985
2893
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link