RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Porównaj
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB vs Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
54
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
29
Prędkość odczytu, GB/s
9.4
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1929
2960
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ17RG4EAFD-DJ-F 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link