RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Porównaj
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3889
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link