RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Porównaj
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2267
2865
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link