RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
55
Wokół strony 67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
55
Prędkość odczytu, GB/s
20.5
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
16.4
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3530
2701
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link