RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Porównaj
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
52
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,479.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,226.4
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,479.2
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
590
2841
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link