RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,935.8
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
45
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
25
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
2600
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link