RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
19.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,935.8
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
45
Wokół strony -125% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
20
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
3473
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link