RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
45
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.6
2,935.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
30
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
1832
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Samsung M391B1G73BH0-YH9 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link