RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
19.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,935.8
16.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
45
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
27
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
3909
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link