RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3402
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link