RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
26
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3007
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link