RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2245
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link