RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2488
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link