RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
62
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
62
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
1808
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link