RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
36
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
23
Prędkość odczytu, GB/s
14.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2481
2936
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link