RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
6.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
31
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
30
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
1338
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link