RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB vs Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
39
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
23
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2324
2103
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link