RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
47
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
47
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.8
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2904
2308
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link