RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wynik ogólny
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
14
36
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
26.4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.8
11.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
14
Prędkość odczytu, GB/s
16.4
26.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
19.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2729
4362
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link