RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
91
Wokół strony 60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
4.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
91
Prędkość odczytu, GB/s
16.4
6.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
4.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2729
1214
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link