RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
50
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
50
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.3
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2968
2512
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link