RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
2583
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link