RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
77
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
77
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
1549
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link