RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wynik ogólny
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
54
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
9.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
54
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.2
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3130
2176
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link