RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Porównaj
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
26
Prędkość odczytu, GB/s
19.4
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
15.8
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3614
2808
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link