RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Porównaj
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
AMD R748G2606U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
61
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
24
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
8.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R748G2606U2S 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
61
Prędkość odczytu, GB/s
24.0
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
20.0
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
4156
2028
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link