RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Porównaj
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
35
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
24
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
35
Prędkość odczytu, GB/s
24.0
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
20.0
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
4156
2336
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link