RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Porównaj
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
24
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
26
Prędkość odczytu, GB/s
24.0
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
20.0
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
4156
2806
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link