RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Porównaj
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
10.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR5
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
13.5
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3679
2354
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link