RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
49
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2863
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link