RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
49
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3596
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link