RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
49
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.1
2,066.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
5.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
1735
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link