RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
49
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
2,066.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
39
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
11.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
1881
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link